標題: 複矽晶電阻器在積體電路備用技術中電阻值變化過程之研究
作者: 石志清
Shi, Zhi-Qing
盧志遠
Lu, Zhi-Yuan
電子研究所
關鍵字: 複矽晶電阻器;電阻器;積體電路;電阻值;低壓化學氣相沈積;化學氣相沈積法;氣相沈積法;離子佈植法;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期: 1982
摘要: 近年來,複矽晶電阻器已被廣泛的使用在積體電路中作為備用之技術,以提高產品的 成功率及降低成本。但是,複矽晶膜的厚度及雜質濃度對於複矽晶電阻器的電阻值轉 換特性究竟有何影響,至今未曾被深入探討。 吾人以低壓化學氣相沈積方法來製造的複矽晶電阻器,然後以離子佈植法植入硼或砷 。電阻器有各種長度、雜質濃度及厚度(0.1∼0.2微米)之變化。 本文我們將描述複矽晶電阻器的電阻值的變化過程,以及因不同的長度、厚度、雜質 濃度對電阻值轉換特性的影響。根據這些研究,我們希望對於轉換機構的物理有進一 步的了解。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428001
http://hdl.handle.net/11536/51720
顯示於類別:畢業論文