複矽晶電阻器在積體電路備用技術中電阻值變化過程之研究

Abstract

近年來，複矽晶電阻器已被廣泛的使用在積體電路中作為備用之技術，以提高產品的 成功率及降低成本。但是，複矽晶膜的厚度及雜質濃度對於複矽晶電阻器的電阻值轉 換特性究竟有何影響，至今未曾被深入探討。 吾人以低壓化學氣相沈積方法來製造的複矽晶電阻器，然後以離子佈植法植入硼或砷 。電阻器有各種長度、雜質濃度及厚度(0.1∼0.2微米)之變化。 本文我們將描述複矽晶電阻器的電阻值的變化過程，以及因不同的長度、厚度、雜質 濃度對電阻值轉換特性的影響。根據這些研究，我們希望對於轉換機構的物理有進一 步的了解。