複晶矽電阻器的傳輸特性及新理論

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	甘萬達	en_US
dc.contributor.author	Gan, Wan-Da	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	Wu, Qing-Yuan	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:04Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:04Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430001	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51365	-
dc.description.abstract	本文考慮載體捕捉及雜質離析效應, 發展完成一種多數載體在復晶矽膜中的新傳導模式。此種模式可以準確預估復晶矽膜之需氣特性對制程參數的依賴性。本文利用離子布植法, 制造完成具有磷雜質的復晶矽電阻器, 另亦測出復晶矽膜之電阻系數對溫度的關系, 發現實驗的數據與計算機模擬的結果相當吻合。同時, 本文亦對具有硼及砷雜質的復晶矽電阻器加以計算機模擬, 模擬的結果與前人發表的實驗數據完全一致。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	複晶矽	zh_TW
dc.subject	電阻器	zh_TW
dc.subject	傳輸特性	zh_TW
dc.subject	新理論	zh_TW
dc.subject	載体捕捉	zh_TW
dc.subject	雜質離析	zh_TW
dc.subject	傳導模式	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	複晶矽電阻器的傳輸特性及新理論	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
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