利用表面高膿度層以改變蕭基二極體能障高度的理論及實驗

Abstract

本文考慮金屬與半導體間的界面特性及不均勻表面層濃度之效應，導出具有表面高濃 度層之蕭基二極體能障高度的理論。根據理論結果，蕭基二極體能障的降低與表面層 雜質的劑量成正比。同時，蕭基二極體允許表面雜質濃度最大限度的設計公式亦加以 推導。 本文亦利用砷離子怖植法，製造以金及鋁為能障金屬的蕭基二極體，并研究其特性。 理論與實驗結果亦在本文中加以比較，發現相當吻合。同時，本文亦針對蕭基二極體 的逆向特性及理想係數加以計測及討論。