利用砷離子表面佈植法以增加蕭基二極體能障的物理模擬及實驗

Abstract

本文利用蕭基介面層理論，發現完成解析式的模型，模擬具有表面離子布植之蕭基二 極能障的提高。其中離子布植的雜質分怖，本文以“盒形”及“高斯”兩種分怖加以 模擬，并比較兩者的結果。根據數值計算的結果，對能障提高的大小而言此兩種雜質 分怖的模型并沒多大差異。 本語文亦利用鈦及鋁兩種金屬在P 型矽上製造蕭基二極體, 其中離子布植的能量為25 keV,而砷離子劑量在8×10 / 平方厘米至3×10 / 平方厘米之間。實驗結果亦與理論 作比較, 發現兩者相當吻合。同時, 蕭基二極體的理想係數、崩潰電壓及逆向電流特 性與離子布植之關系亦加以測量及討論。 根據實驗結果與理論相當吻合的基礎，本文發展完成的模式可以作為離子怖植法提高 蕭基二極體及金一絕一半太陽電池之多數載體能障的指南。