標題: | 新式V型雙擴散金氧半功率電晶體之模擬及製造技術 |
作者: | 曾成立 Zeng, Cheng-Li 吳慶源 Wu, Qing-Yuan 電子研究所 |
關鍵字: | 電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING |
公開日期: | 1976 |
摘要: | 本文提供一種新式垂直V型雙擴散金氧半場效電晶體的設計及製造方法。垂直V 型雙擴散金氧半場效電晶體具有下列基本的優點:1很高的輸入阻抗;2高的崩潰電 壓 ;3高電流的工作能力;4高的頻率響應;5低的輸出電阻;6固定的飽和跨導;7 較小的佔有面積;8沒有二次崩潰現象。在本文中,除了討論V型雙擴散金氧半場效 電晶體的設計原理及製造方法外,尚提出大略元件設理論以解釋實驗所得的元件數 據。根據垂直 V型雙擴散金氧半場效電晶體的優良特性,此種元件將可大量取代現 有功率雙極性電晶體的地位。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT654430001 http://hdl.handle.net/11536/51056 |
顯示於類別: | 畢業論文 |