以複矽處理法減除矽晶片中之缺陷

Abstract

本文的主要內容是探討在矽晶片的背面，用化學氯相堆積法堆積一層複矽昌層以改良 矽晶片之品質。實驗結果顯示，此法可以減少矽晶片的缺陷密度，增加金氧半(MOS) 電容的回復時間，降低二極體的漏電電流并提高其崩潰電壓。文中并研究對不同的複 矽晶厚度，各項特性所受到之影響，由此可得出使改良效果最佳之厚度。