以複矽處理法減除矽晶片中之缺陷

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳春男	en_US
dc.contributor.author	Chen, Chun-Nan	en_US
dc.contributor.author	陳茂傑	en_US
dc.contributor.author	Chen, Mao-Jie	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:06Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:06Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430036	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51404	-
dc.description.abstract	本文的主要內容是探討在矽晶片的背面，用化學氯相堆積法堆積一層複矽昌層以改良矽晶片之品質。實驗結果顯示，此法可以減少矽晶片的缺陷密度，增加金氧半(MOS) 電容的回復時間，降低二極體的漏電電流并提高其崩潰電壓。文中并研究對不同的複矽晶厚度，各項特性所受到之影響，由此可得出使改良效果最佳之厚度。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	複矽晶處理	zh_TW
dc.subject	矽晶片	zh_TW
dc.subject	減除缺陷	zh_TW
dc.subject	缺陷密度	zh_TW
dc.subject	金氧半(MOS)電容	zh_TW
dc.subject	崩潰電壓	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	以複矽處理法減除矽晶片中之缺陷	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文