使用BBr3磞於矽中的存積

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳偉雄	en_US
dc.contributor.author	Chen, Wei-Xiong	en_US
dc.contributor.author	郭雙發	en_US
dc.contributor.author	Guo, Shuang-Fa	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:07Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:07Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430039	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51407	-
dc.description.abstract	本文研究以三溴化硼當作存積於矽中之擴散源，并以實驗得出各種沒擴散溫度及時間之存積層片電阻和接面深度，同時利用計算機以數值方法模擬實際的雜質分佈。我們所採用的是一種“複電荷狀態空隙”的擴散模式，由比較模擬接面深度與實驗數據可得出本質擴散率，經與他人之實驗值比較，發現其結果非常接近。存積層片電阻因氧氣流量不同之變化可由改變“質量轉移係數”模擬之。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	BBr3磞	zh_TW
dc.subject	矽	zh_TW
dc.subject	存積	zh_TW
dc.subject	三溴化磞	zh_TW
dc.subject	擴散源	zh_TW
dc.subject	複電荷狀態空隙	zh_TW
dc.subject	模擬接面	zh_TW
dc.subject	質量轉移係數	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	使用BBr3磞於矽中的存積	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文