蕭基二極體的數值分析

Abstract

本文系發展一套電腦模擬程式以分析蕭基二極體的電特性。將五個基本方程式: 電子 及電洞的電流及連續方程式及布阿松方程式, 加以分離化, 并以適當的邊界條件聯立 解其電子、電洞及電位三個獨立變數。在給予適當的起始值及合理的偏壓下, 用牛頓 –拉福森壘代法定可得到收斂的解答。 本文考慮的物理模型有能障高度( 包括映像力 )、電場及雜值濃度相關的載子移動率 。從實做的鋁–n 型二極體中, 電流密度–電壓及電容–電壓的特性曲線與模擬后的 結果加以比較。對矽化鉑–n 型矽及矽化鈀–n 型矽二極體亦加以探討。另外, 本文 也算出以離子布植法所提高能障的高度, 其中包括“盒型”及“高斯”二種分布。