利用表面離子佈植法製造金─絕─半交換元件及其分析

Abstract

本文研究以不同絕緣層及表面離子布植法制造金–絕–半交換(MISS)元件。 M–I–n –P ( 金–絕–半–半 )具有交換的特性, 此薄絕緣層為半導電性, 以熱氧化及熱氮 化分別成長, 半導體表面則以25Kev 的能量作不同濃度的離子布植。不同的絕緣層及 離子布植影響交換元件的交換電壓及維持電壓, 分別以電容–電壓、電流–電壓關系 , 交換電壓, 維持電壓對溫度的效應來探討、分析其特性。