熱成長氮化矽的成長動力學氧化阻抗模式及其在金-絕-半交換元件上的運用

Abstract

本文共由三部分組成。其中第一部分介紹熱成長氮化矽的成長動力模式。由此模式我 們可得到一些重要的反應特性參數，諸如線性成長速率、拋物線成長速率及擴散長度 等。根據此一模式，我們便輕易地預測及控制各種溫度下成長氮化矽膜的自限厚度， 進而廣泛地將氮化矽膜應用於元件及積體電路的製造上。 在第二部分中，我們研究氮化矽膜的氧化阻抗特性。基於同樣的觀念，我們導出氮化 矽的氧化阻抗模式。藉理論與實驗數據的比較，重要的反應參數可以求出，并藉此可 研究局部氧化技術中烏嘴的坡度特性。同時，我們亦定義氧化阻抗時間來表示氮化矽 膜的氧化阻抗能力，且證明氧化阻抗時間與原有的氮化矽膜厚度成正比的關系。 最後，本文亦研究氮化技術在金一絕一半交換元件上的應用，發現此種元件的保持電 壓與絕緣層厚度及品質有密切的關系。根據實驗，熱氮化膜可以廣泛地利用於金一絕 一半交換元件的製造上。