利用表面離子佈植法製造金─絕─半交換元件及其分析

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	黃遠東	en_US
dc.contributor.author	Huang, Yuan-Dong	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	Wu, Qing-Yuan	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:07Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:07Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430048	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51417	-
dc.description.abstract	本文研究以不同絕緣層及表面離子布植法制造金–絕–半交換(MISS)元件。 M–I–n –P ( 金–絕–半–半 )具有交換的特性, 此薄絕緣層為半導電性, 以熱氧化及熱氮化分別成長, 半導體表面則以25Kev 的能量作不同濃度的離子布植。不同的絕緣層及離子布植影響交換元件的交換電壓及維持電壓, 分別以電容–電壓、電流–電壓關系 , 交換電壓, 維持電壓對溫度的效應來探討、分析其特性。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	表面離子佈植法	zh_TW
dc.subject	製造	zh_TW
dc.subject	金─絕─半交換(M	zh_TW
dc.subject	分析	zh_TW
dc.subject	半導体	zh_TW
dc.subject	電壓	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	利用表面離子佈植法製造金─絕─半交換元件及其分析	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文