短通道金氧半場效電晶體理論模型之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	簡惠慶	en_US
dc.contributor.author	Jian, Hui-Qing	en_US
dc.contributor.author	吳重雨	en_US
dc.contributor.author	Wu, Zhong-Yu	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:08Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:08Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430055	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51425	-
dc.description.abstract	本文根據波爾滋曼分布以及定準一費米能階近似理論, 發展出一種關於金氧半場效體臨界電壓的一維空間理論模型。此種模包涵了電荷分配效應和沿通道方向少數載子的準一費米能階變化的觀念利用此種理論能很好地解釋金氧半場效體的基體偏壓效應和次臨界傳導效應。使用局部氧化的技術一種3.5 微米通道長度的矽–閘金氧半場效體已被成功地制出。在本文中次臨界電流和臨界電壓均很仔細地測出并和理論模型比較。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	短通道	zh_TW
dc.subject	金氧半場效体	zh_TW
dc.subject	電晶体	zh_TW
dc.subject	理論模型	zh_TW
dc.subject	臨界電壓	zh_TW
dc.subject	局部氧化	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	短通道金氧半場效電晶體理論模型之研究	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文