深次微米SOI元件相關特性之研究

Abstract

在這篇論文中□，利用模擬研究在SOI（SILLICON ON INSULATOR）結構下的0.1 um nMOSFET元件之特性，其目的在為未來深次微米SOI元件設計或製造提供一個參考。我 們可由結果看出臨界電壓與矽膜厚度間的關係及其隨不同攙雜濃度變數的變化。另外 ，研究中亦顯示了加入負的INTERFACE－FIXED－CHARGE可降低SUBTHRESHOLD SWING， 並提高臨界電壓（THRESHOLD VOLTAGE）的值，因此有助於減少漏電流的產生。最後 ，我們針SOI的不足提出改進的方法。