| 標題: | 深次微米元件研製及特性分析 Fabrication and Characterization of Deep Submicron Transistors |
| 作者: | 黃調元 TIAO-YUANHUANG 交通大學電子工程系 |
| 關鍵字: | 深次微米;金氧半導體電晶體;短通道效應;SOI基片;Deep submicron;MOS transistor;Short channel effect;SOI substrate |
| 公開日期: | 1997 |
| 官方說明文件#: | NSC86-2215-E009-046 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/95480 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=278795&docId=50196 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
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