標題: 深次微米SOI元件相關特性之研究
THE CHARACTERISTICS OF 0.1 um nMOSTFET DEVICE IN SOI STRUCTURE
作者: 林憶霞
Lin, Yi-Xia
施敏
Shi, Min
電子研究所
關鍵字: 電子工程;臨界電壓    ;深次微米;臨界電壓;矽膜厚度;SOI   ;ELECTRONIC-ENGINEERING;MEDICI;deep-submicron;design;fixed-charge
公開日期: 1995
摘要: 在這篇論文中□,利用模擬研究在SOI(SILLICON ON INSULATOR)結構下的0.1 um nMOSFET元件之特性,其目的在為未來深次微米SOI元件設計或製造提供一個參考。我 們可由結果看出臨界電壓與矽膜厚度間的關係及其隨不同攙雜濃度變數的變化。另外 ,研究中亦顯示了加入負的INTERFACE-FIXED-CHARGE可降低SUBTHRESHOLD SWING, 並提高臨界電壓(THRESHOLD VOLTAGE)的值,因此有助於減少漏電流的產生。最後 ,我們針SOI的不足提出改進的方法。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT844430019
http://hdl.handle.net/11536/61260
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