深次微米SOI元件相關特性之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林憶霞	en_US
dc.contributor.author	Lin, Yi-Xia	en_US
dc.contributor.author	施敏	en_US
dc.contributor.author	Shi, Min	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:16:29Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:16:29Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT844430019	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/61260	-
dc.description.abstract	在這篇論文中□，利用模擬研究在SOI（SILLICON ON INSULATOR）結構下的0.1 um nMOSFET元件之特性，其目的在為未來深次微米SOI元件設計或製造提供一個參考。我們可由結果看出臨界電壓與矽膜厚度間的關係及其隨不同攙雜濃度變數的變化。另外，研究中亦顯示了加入負的INTERFACE－FIXED－CHARGE可降低SUBTHRESHOLD SWING，並提高臨界電壓（THRESHOLD VOLTAGE）的值，因此有助於減少漏電流的產生。最後，我們針SOI的不足提出改進的方法。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	臨界電壓	zh_TW
dc.subject	深次微米	zh_TW
dc.subject	臨界電壓	zh_TW
dc.subject	矽膜厚度	zh_TW
dc.subject	SOI	en_US
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.subject	MEDICI	en_US
dc.subject	deep-submicron	en_US
dc.subject	design	en_US
dc.subject	fixed-charge	en_US
dc.title	深次微米SOI元件相關特性之研究	zh_TW
dc.title	THE CHARACTERISTICS OF 0.1 um nMOSTFET DEVICE IN SOI STRUCTURE	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文