完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 謝文俊 | en_US |
dc.contributor.author | Xie, Wen-Zun | en_US |
dc.contributor.author | 吳重雨 | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Zhong-Yu | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Qing-Yuan | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:12Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:12Z | - |
dc.date.issued | 1980 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430093 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51467 | - |
dc.description.abstract | 本文分成二部分,第一部分研究一種新式光敏壓控式微分負電阻元件一藍達光電晶體 。藍達光電晶體是由雙極性接面光電晶體及金氧半場效電晶體積體式地製造在同一材 質的晶片而成、其工作原理、直流及交流性的理論分析、及實驗結果將在本文中加以 描述及討論。 本文第二部分提供複晶矽作為雙極性元件之射極接觸的理論模式,并以實驗研究砷離 子怖植複晶矽與單晶矽接面的特性,且與普通金屬鋁一矽接面作比較。在本文中,此 種複晶矽技術亦應用於光電晶體、光二極體接面二極體上,其對增益、電流一電壓特 性、溫度特性等將與鋁一矽接面作比較,并加以討論。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 藍達光電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 製作 | zh_TW |
dc.subject | 複晶矽 | zh_TW |
dc.subject | 射極接面 | zh_TW |
dc.subject | 雙極性接面光電晶 | zh_TW |
dc.subject | 雙極性元件之射極 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 藍達光電晶體的製作和以複晶矽作為射極接面材料 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |