氧化銦與植錫氧化銦的研製及其特性

Abstract

在本文中，吾人建立一套製造氧化銦與植錫氧化銦的真空蒸鍍系統。利用此系統可以 製做出擁有低電阻係數ｐ＝３．１４×１０□□Ωｃｍ和高整體穿透率（４０００° Ａ－９０００°Ａ ＴI ＝８９８．８７％）的氧化銦薄膜。 不同定義的評價圖形將會對氧化銦薄膜的整體穿透率及薄層電阻間的關係及其大小有 不同之要求。然而由實驗數據得知，不同定義的評價圖形會選擇同樣的最適宜之製造 條件。此條件則是當蒸鍍系統之氧氣壓力保持３×１０□□托爾時，基板之溫度必須 保持在３００℃左右。 在室溫時可觀察到佯化銦的基本光譜吸收邊緣會隨著其電導係數的三分之二次方而漸 增。此條直線的縱軸截距可得到其本質直接躍升能態間之距離Ｅgo＝３．６５電子伏 特。另由此直線的斜率可決定氧化銦的狀態密度等效質量ｍd*＝０．４４ｍ□；此處 之ｍ□為電子之靜止質量。除此之外，還可得出氧化銦之共價帶的曲率為一負值。 為了要在蒸鍍之後增進這些薄膜的性質，必須將其放入２５０℃之空中加以熱處理六 十分鐘。對於植錫氧化銦而言，這個步驟是非常重要的。