超大型積體電路中小埋層通道金氧半場效應電晶體的模式

Abstract

本文主旨在於，發展一小埋層通道金氧半場效應電晶體的確模式，以供實用。本文分 為兩大部份，一為臨界電壓模式；一為電流電壓輸出特性模式。 一些新的觀念被用在模式裡面。如臨界電壓模式的推導裹面，我們用了新的元件構造 觀念。另外在電流電壓輸出的特性模擬裹，用了新的移動率公式。由實驗禾模擬的結 果顯示，這些觀念被證實具有創意，而且使模式簡單容易了解。實驗和模擬的符合， 今人滿意。