標題: | 利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞 |
作者: | 吳添祥 Wu, Tian-Xiang 吳重雨 Wu, Zhong-Yu 電子研究所 |
關鍵字: | 雙基極電晶體;電晶體;隨意出入記憶細胞;細胞;複射極;二極體耦合;電路;一蕭特基二極體;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING |
公開日期: | 1982 |
摘要: | 本文利用雙基極電晶體,設計一種新型的靜態隨意出入記憶細胞,並對該細胞作進一 步的分析與探討。該細胞是由雙基極電晶體及兩個各別並聯於射一基接面的複晶矽電 阻組成記憶單元,並利用複射極及二極體耦合組成其讀寫電路。為避免兩個電晶體工 作於深飽和狀態,可加一蕭特基二極體於集基接面上。本文以簡單公式作直流特性分 析,由分析的結果可知,該細胞具有高速率、高密度及低功率的優點,值得進一步研 究。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428014 http://hdl.handle.net/11536/51734 |
顯示於類別: | 畢業論文 |