利用雙基極電晶體設計的新型靜態隨意出入記憶細胞

Abstract

本文利用雙基極電晶體，設計一種新型的靜態隨意出入記憶細胞，並對該細胞作進一 步的分析與探討。該細胞是由雙基極電晶體及兩個各別並聯於射一基接面的複晶矽電 阻組成記憶單元，並利用複射極及二極體耦合組成其讀寫電路。為避免兩個電晶體工 作於深飽和狀態，可加一蕭特基二極體於集基接面上。本文以簡單公式作直流特性分 析，由分析的結果可知，該細胞具有高速率、高密度及低功率的優點，值得進一步研 究。