金氧半電晶體之薄閘極氧化層的製作與特性分析

Abstract

本文主要在研究，矽在乾氧及不同比例之氮、水混合中的氧化以及氧化後的各種退火 處理等特性。而氧化膜的特性分析，是計數氧化膜的針孔數目及用C-V 方法來測量氧 化膜中的固定電荷密度和介面狀態密度等。氧化膜成長原度為400A°，成長溫度範圍 在850℃ 和1000℃之間。 吾人發現，氮、水混合的氧化法較乾氧為佳。較低溫成長的氧化膜有較少的針孔。氮 在氧化過程中能降低氧化速率，且氧化膜並無造成明顯的破壞。氧化膜成長過程中加 百分之一氯化氫，可降低針孔數目。高溫退火處理較低溫為佳。經過氮的高溫退火處 理的氧化膜，其固定電荷密度及介面狀態密度皆大大的降低。