利用電荷幫浦技術粹取金氧半場效電晶體參數的新方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	楊旭明	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:03:05Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:03:05Z	-
dc.date.issued	1984	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732428008	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52027	-
dc.language.iso	en_US	en_US
dc.title	利用電荷幫浦技術粹取金氧半場效電晶體參數的新方法	zh_TW
dc.title	The novel extraction method of MOS parameters using the charge-pumping technique	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文