薄氧化層的熱氮化于超大型積體電路中加強區域性氧化和薄閘層之應用

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	余智林	en_US
dc.contributor.author	YU, ZHI-LIN	en_US
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.contributor.author	WU, GING-YUAN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:03:06Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:03:06Z	-
dc.date.issued	1984	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732430011	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52061	-
dc.description.abstract	本文在研究以二氧化矽的熱氮化技術應用在超大型積骿電路中之區域性氧化隔離，使其鳥嘴長度降至0.2 微米以下且保有零缺陷；並以此技術仗用於製造互補式金氧、半導體元件之薄閘層，以改進傳統的熱二氧化矽薄閘層應用於超大型積體電路中的種種缺失	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氧化層	zh_TW
dc.subject	熱氮化	zh_TW
dc.subject	二氧化矽	zh_TW
dc.subject	積體電路	zh_TW
dc.subject	薄閘層	zh_TW
dc.title	薄氧化層的熱氮化于超大型積體電路中加強區域性氧化和薄閘層之應用	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文