本體互補式金氧半場效電晶體之矽控整流鎖住的暫態特性分析與模擬

Abstract

互補式金氧半場場效電晶體因具有種種優越特性，在未來超大型積體電路中勢將扮演 重要角色，然而若其矽控整流鎖住的問題不能克服，則其應用將大受限制。 以往對此矽控整流鎖住特性的研究多半注重於直流之分析而不考慮產生此一鎖住現象 的原因。在本論文中，我們利用線路模擬器來模擬整個鎖住過程之暫態響應，模擬時 所需之參數乃由實驗及理論推導而得。由此一發展出來之方法，我們可得與實驗相當 接近的模擬值，這些資料可當成線路設計時之參考，而可避免矽控整流鎖住現象之發 生。