雙載子--互補金氧半積體電路及複晶矽隔離方法

Abstract

本文以傳統的技術研製雙載子一P 井區互補式金氧半積體電路。在本技術中，使用4 氫化矽加氫氣分解方法把N 能磊晶層長在 P 態基底上，這己經降低了自動滲雜效應 且表面濃度可以控制到1.5×104(cm)-8o 隻載子互補式金氧半反相器己經成功地被 製造出來，其上升時間或下降時間接近 20毫秒。複晶矽隔離的技術也被提出來研究 ，複晶矽隨磊晶層一起成長，它提供了很高的電阻係數且能夠擴散形成接面與基底及 磊晶層隔離。因為硼擴散到複晶矽的深度的 1050 度C 時約等於在磊晶的4 倍，所以 對於隔離擴散的時間就可以減少為原來的4 分之1，因此可大大的降低埋層向外擴散 的效應，另外發現P 複晶-N 磊晶隔離接面的漏電流僅比傳統的隔離接面高一點，而 其崩潰電壓可高達 150 伏特。