標題: 雙載子-互補式金氧半技術中雙載子電晶體之參數萃取實驗研究
An experimental study of parameter extraction of thebipolar junction transistor in BiCMOS technology
作者: 姜信欽
JIANG, XING-QIN
吳重雨
WU, CHONG-YU
電子研究所
關鍵字: 雙載子-互補式;金氧半技術;雙載子電晶體;參數萃取實驗研究
公開日期: 1991
摘要: 本論文中,首先回顧SPICE 程式中積體式雙載子電晶體的模型和模型中所使用到的 參數。文中採用一個改良式的直流參數萃取法則。這法則是利用一個步驟接一個步 驟的策略來萃取每一個直流參數,以期降低參數間的相互影響,進而降低計算結果 的誤差。文中也介紹對於萃取各交流參數的方法。在所有被萃取的參數中,文中特 別著重於電阻參數的萃取。而對於電阻參數的不同萃取方法,本文中也提出一些比 較。 一個利用先進的1.0 微米雙載子-互補式金氧半製程所製作出的雙載子電晶體,利 用所提出的萃取方法其SPICE 雙載子電晶體模型的直流參數實際地被萃取出來。實 驗結果顯示,對於順向Gummel圖和電流輸出特性的測量值和計算值間的誤差分別在 百分之十和百分之十一。這證明此萃取法則的正確性。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430002
http://hdl.handle.net/11536/56031
顯示於類別:畢業論文