以二氧化碳雷射處理複晶矽之再結晶

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	黃明煌	en_US
dc.contributor.author	HUANG, MING-HUANG	en_US
dc.contributor.author	陳茂傑	en_US
dc.contributor.author	CHEN, MAO-JIE	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:03:07Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:03:07Z	-
dc.date.issued	1984	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732430016	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52066	-
dc.description.abstract	以波長10.6μm 之二氧化碳雷射間接加熱摻雜磷或無摻雜磷之複晶矽膜，使之熔解後再結晶。雷射加熱之試樣結構為 SiO2(APCVD 或熱成長者)╱ LPCVD 複晶矽╱熱成長 SiO2/Si 基板。受雷射加熱而融化之部分具有較大之晶粒且有較平滑之表面。此外，雷射導致基板產生晶格缺陷，吾人可藉墊在LPCVD 複晶矽與Si 基板間之SiO2 厚度設計為1/4 波長來防止此缺陷之形成。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	二氧化碳	zh_TW
dc.subject	雷射	zh_TW
dc.subject	複晶矽	zh_TW
dc.subject	再結晶	zh_TW
dc.subject	磷	zh_TW
dc.title	以二氧化碳雷射處理複晶矽之再結晶	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
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