超大型積體電路中埋層金氧半場效電晶體的臨界電壓及電流--電壓特性曲線之計測分析及新模式

Abstract

本文提出小幾何結構埋層通道金氧半場效電晶體之臨界電壓及電流一電壓乾出特性之 新解析模式，其中使用了許多新的觀念。 在臨界電壓模式中，源極與洩極所產生的電荷共用效應及烏嘴下之空乏電荷效應均被 考慮在內。由實驗之測量顯示出，各種不同尺寸元件的實驗值與模式均可得到良好的 一玫性。在電流一電壓特性模式中，我們採用了不同的表面及增層移動率公式，其中 縱向及橫向的二度空間效應均考慮在內。實驗值與理論值的比較也證明此模式的準確 性。因此，此模式可應用於元件設計及電路系統之分析上。