標題: | 短通道金氧半場效電晶體之二維空間數值分析 |
作者: | 彭瑞焜 PENG, RUI-KUN 吳慶源 WU, GING-YUAN 應用數學系所 |
關鍵字: | 短通道;金氧半場效;電晶體;二維空間;數值方法;半導體;牛頓逐次趨鬆散法;行逐次超鬆散法 |
公開日期: | 1985 |
摘要: | 本篇論文以數值方法分析金氧半場效電晶體(以下簡稱電晶體)的特性。本文將詳細 推導出半導體基本方程的有限差分方程式,並且將此方程式應用在電晶體上。這組有 限差分方程式包含非線性和線性的大型方程式。為了節省計算機的記憶空間,我們用 牛頓-逐次超鬆散法和行逐次超鬆散法解出非線性及線性方程組的近似解。最後利用 所得出的數值解討論通道長為1 微米和1.35微米電晶體的物理性質,包括臨界電壓和 穿透現象等等。我們根據數值結果和圖例證明了本文所描述的方法是可行的,並且可 以將它發展應用到實際的電晶體上。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742507018 http://hdl.handle.net/11536/52660 |
顯示於類別: | 畢業論文 |