標題: | 短通道V型場效電晶體 |
作者: | 宋弘政 SONG, HONG-ZHENG 謝正雄 XIE, ZHENG-XIONG 光電工程學系 |
關鍵字: | 電晶體;製程技術;短通道;場效;閘極;V;V;MOSFET;LIFT-OFF |
公開日期: | 1988 |
摘要: | 我們利用V 槽底會累積較多沈積物的特性開發出一種新的製程技術,用此技術可以在 交大半導體中心製造出通道長只有0.8的MOSFET,除此之外我們尚可同時用lift-o -ff 技術來增加元件密度,此電晶體特別的地方在於它的 V型閘極結構與傳統的平面 閘極不同。 根據理論分析,V 型閘極的MOSFET可以承受較大的工作電壓和有較大的傳導係數,從 實驗結果可以証實部分的理論推測,如閘極氧化層厚度400A 和通道長0.8的V 型MOSFET,其BV= 10.5V ,gm=35ms╱mm 。 我們利用V 槽底會累積較多沈積物的特性開發出一種新的製程技術,用此技術可以在 交大半導體中心製造出通道長只有0.8的MOSFET,除此之外我們尚可同時用lift-o -ff 技術來增加元件密度,此電晶體特別的地方在於它的V 型閘極結構與傳統的平面 閘極不同。 根據理論分析,V 型閘極的MOSFET可以承受較大的工作電壓和有較大的傳導係數,從 實驗結果可以証實部分的理論推測,如閘極氧化層厚度400A 和通道長0.8的V 型MOSFET,其BV=10.5V,gm=35ms╱mm。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123026 http://hdl.handle.net/11536/53678 |
顯示於類別: | 畢業論文 |