標題: 短通道V型場效電晶體
作者: 宋弘政
SONG, HONG-ZHENG
謝正雄
XIE, ZHENG-XIONG
光電工程學系
關鍵字: 電晶體;製程技術;短通道;場效;閘極;V;V;MOSFET;LIFT-OFF
公開日期: 1988
摘要: 我們利用V 槽底會累積較多沈積物的特性開發出一種新的製程技術,用此技術可以在 交大半導體中心製造出通道長只有0.8的MOSFET,除此之外我們尚可同時用lift-o -ff 技術來增加元件密度,此電晶體特別的地方在於它的 V型閘極結構與傳統的平面 閘極不同。 根據理論分析,V 型閘極的MOSFET可以承受較大的工作電壓和有較大的傳導係數,從 實驗結果可以証實部分的理論推測,如閘極氧化層厚度400A 和通道長0.8的V 型MOSFET,其BV= 10.5V ,gm=35ms╱mm 。 我們利用V 槽底會累積較多沈積物的特性開發出一種新的製程技術,用此技術可以在 交大半導體中心製造出通道長只有0.8的MOSFET,除此之外我們尚可同時用lift-o -ff 技術來增加元件密度,此電晶體特別的地方在於它的V 型閘極結構與傳統的平面 閘極不同。 根據理論分析,V 型閘極的MOSFET可以承受較大的工作電壓和有較大的傳導係數,從 實驗結果可以証實部分的理論推測,如閘極氧化層厚度400A 和通道長0.8的V 型MOSFET,其BV=10.5V,gm=35ms╱mm。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123026
http://hdl.handle.net/11536/53678
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