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dc.contributor.author宋弘政en_US
dc.contributor.authorSONG, HONG-ZHENGen_US
dc.contributor.author謝正雄en_US
dc.contributor.authorXIE, ZHENG-XIONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:22Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:22Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123026en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53678-
dc.description.abstract我們利用V 槽底會累積較多沈積物的特性開發出一種新的製程技術，用此技術可以在 交大半導體中心製造出通道長只有０．８的MOSFET，除此之外我們尚可同時用lift-o -ff 技術來增加元件密度，此電晶體特別的地方在於它的 V型閘極結構與傳統的平面 閘極不同。 根據理論分析，V 型閘極的MOSFET可以承受較大的工作電壓和有較大的傳導係數，從 實驗結果可以証實部分的理論推測，如閘極氧化層厚度４００A 和通道長０．８的V 型MOSFET，其BV= １０．５V ，gm=３５ms╱mm 。 我們利用V 槽底會累積較多沈積物的特性開發出一種新的製程技術，用此技術可以在 交大半導體中心製造出通道長只有０．８的MOSFET，除此之外我們尚可同時用lift-o -ff 技術來增加元件密度，此電晶體特別的地方在於它的V 型閘極結構與傳統的平面 閘極不同。 根據理論分析，V 型閘極的MOSFET可以承受較大的工作電壓和有較大的傳導係數，從 實驗結果可以証實部分的理論推測，如閘極氧化層厚度４００A 和通道長０．８的V 型MOSFET，其BV=１０．５V，gm=３５ms╱mm。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電晶體zh_TW
dc.subject製程技術zh_TW
dc.subject短通道zh_TW
dc.subject場效zh_TW
dc.subject閘極zh_TW
dc.subjectVen_US
dc.subjectVen_US
dc.subjectMOSFETen_US
dc.subjectLIFT-OFFen_US
dc.title短通道V型場效電晶體zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別：畢業論文


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