短通道金氧半場效電晶體之二維空間數值分析

Abstract

本篇論文以數值方法分析金氧半場效電晶體（以下簡稱電晶體）的特性。本文將詳細 推導出半導體基本方程的有限差分方程式，並且將此方程式應用在電晶體上。這組有 限差分方程式包含非線性和線性的大型方程式。為了節省計算機的記憶空間，我們用 牛頓－逐次超鬆散法和行逐次超鬆散法解出非線性及線性方程組的近似解。最後利用 所得出的數值解討論通道長為1 微米和1.35微米電晶體的物理性質，包括臨界電壓和 穿透現象等等。我們根據數值結果和圖例證明了本文所描述的方法是可行的，並且可 以將它發展應用到實際的電晶體上。