Ｎ型銻化銦霍爾效應與磁阻之研究

Abstract

本文主要討論n 型銻化銦低溫高磁場下，霍爾係數及磁阻的變化。由於我們對於低頻 和高頻範圍非常感興趣，電子被離子化雜質散射效應不可忽略。另有兩種效應本身已 存在壓電半導體：聲子作用及壓電效應。我們主要討論在這三種散射效應存假設在下 ，俱有某種數學形式，並利用數值計算預測n 型銻化銦在聲子作用下，其霍爾係數、 霍爾角度及磁阻隨著溫度、磁場改變的情形。