ＳＥＭ－ＥＢＬＩＣ在ＰＯＳＯＸ結構上之研究

Abstract

多晶矽隔離技術應用在高功率或耐高電壓IC上為一具潛力可行的方法。本論文除了介 紹簡單的多晶矽隔離結構之外，另外，介紹雙層多晶矽隔離結構以降低晶粒的大小。 交大目前擁有一台APCVD 四氫化矽磊晶成長系統，其磊速率與三氫化磷流量的關係亦 由實驗探討。為了瞭解多晶矽隔離結構中多晶的區域是否與基層電性連接，握掃描式 電子顯微鏡的電子束感應電流技術配合磨角技術被發現為一有效的方法，由之我們發 現在多晶矽內的雜質可以擴散至基層形成電性連結而無視其間的薄氧化絕緣層。