非晶型矽薄膜作光學存錄之可行性研究

Abstract

使用電漿輔助之化學氣相沈積系統所製成之非晶型矽薄膜樣品，經由高溫爐加熱後， 顯示其對可見光有極強的吸收。藉著雷射退火技術導致非晶型─晶型狀態之相變，觀 察其穿透率有顯著的變化，而量得相變前後之樣品有極高的穿透對比（約８０dB）， 可作為光學存錄之用。除了穿透對此外，我們也作了拉曼光譜之測量，以檢驗樣品經 由雷射退火後再結晶的狀態來確定相變的發生。其他可能影響介質對光學儲存的因素 如薄膜厚度、雷射波長、退火功率及退火時間，均加以討論。