以可見光與遠紅外光雷射退火技術 製作低熱預算鍺電晶體

標題:	以可見光與遠紅外光雷射退火技術製作低熱預算鍺電晶體 Visible and Far Infrared Laser Annealing-enabled Low Thermal Budget Ge Transistor
作者:	黃子恩謝嘉民 Huang, Tzu-En Shieh, Jia-Min 光電工程研究所
關鍵字:	多晶鍺;雷射退火技術;無接面電晶體;poly-Ge;Laser annealing;Junctionless transistor
公開日期:	2016
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070250575 http://hdl.handle.net/11536/143099
顯示於類別：	畢業論文