標題: 以可見光與遠紅外光雷射退火技術 製作低熱預算鍺電晶體
Visible and Far Infrared Laser Annealing-enabled Low Thermal Budget Ge Transistor
作者: 黃子恩
謝嘉民
Huang, Tzu-En
Shieh, Jia-Min
光電工程研究所
關鍵字: 多晶鍺;雷射退火技術;無接面電晶體;poly-Ge;Laser annealing;Junctionless transistor
公開日期: 2016
URI: http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070250575
http://hdl.handle.net/11536/143099
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