完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 曾明輝 | en_US |
dc.contributor.author | ZEN, MING-HUI | en_US |
dc.contributor.author | 雷添福 | en_US |
dc.contributor.author | 潘犀靈 | en_US |
dc.contributor.author | LEI, TIAN-FU | en_US |
dc.contributor.author | PAN, XI-LING | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:03:29Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:03:29Z | - |
dc.date.issued | 1985 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742123017 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/52315 | - |
dc.description.abstract | 砷化鋁鎵╱砷化鎵半導體雷射是目前應用較廣的一種雷射。本研究工作使用實驗室已 建立的液相磊晶系統成功地製成砷化鋁鎵╱砷化鎵紅外光及紅光雷射二極體,其為雙 異質高阻抗限流條狀結構。我們利用掃描式電子顯微鏡檢查液態磊晶成長序重磊晶層 結構之剖面圖,再測量所製成雷射二極體之電流─電壓關係、光強度─電流關係、光 譜波長等特性。所測得之紅外光雷射二極體,良好者其起始電流約100mA量子效率 約45%,光譜波長則在8750 附近,而紅光雷射二極體其特性較差。本研究在 製作半導體雷射之技術上,已有相當的進步,所得到之製作技術,將有助於未來繼續 的研究工作。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 砷化鋁鎵 | zh_TW |
dc.subject | 砷化鎵 | zh_TW |
dc.subject | 紅外光 | zh_TW |
dc.subject | 半導體 | zh_TW |
dc.subject | 雷射 | zh_TW |
dc.subject | 二極體 | zh_TW |
dc.subject | 雷射二極體 | zh_TW |
dc.title | 砷化鋁鎵╱砷化鎵紅外光及紅光半導體雷射之研製 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |