砷化鋁鎵高亮度紅光二極體之研製

Abstract

隨著發光二極體發光強度的增加，使得發光二極體的用途日趨廣泛。目前的發光二極 體材料中，砷化鋁錠是最為重要，且被廣為研究的半導體材料。本篇論文即針對砷化 鋁錠紅光二極體做一個初步的製程探討。 我們採用目前廣被採用的液相晶體磊晶技術來磊晶，利用溶液溫度的降低，使溶質因 超飽和而在晶片基座上磊晶成長出一層層的晶膜。晶膜因為厚度之增加，會使晶膜內 之成份發生變化。在本篇論文之前段，我們即致力於建立一套資料，以確立厚晶膜的 成份變化；並進而確立一個單層異質結構的紅光二極體的磊晶技術。 本篇論文之後段，即利用單異質結構紅光二極體之磊晶技術和經，進一步嘗試雙異質 結構紅光二極體之研製。在此我們得以確立了一套初步的紅光二極體磊晶的技術和資 料。