標題: 砷化鋁鎵雙異質接面Fabry-Perot標準具之研製
作者: 程化隆
CHEN, HONG-LONG
雷添福
潘犀靈
LEI, TIAN-FU
PAN, XI-LING
光電工程學系
關鍵字: 砷化鋁鎵;半導體;雷射;半導體雷射;光學元件;元件
公開日期: 1985
摘要: 砷化鎵╱砷化鋁鎵(GaAs╱AlGaAs)半導體雷射為目前應用非常席泛之一種半導體雷射 ,因此在訊號處理系統中以GaAs╱AlGaAs半導體為材料之積體光學元伯勢必成為未來 積體光路 (Integrated optical circuits)之主流。本文主要是以液相磊晶法製造Al GaAs雙異質接面Fabry-Perot etalon之光學元件,製造上的考慮是針對波長在0.8 3um左右的半導體雷射,採用平面波導型(Planar waveguide)之Fabry perot etalon ,並且以Fatry-perot etalon的傳輸特性來測量傳輸損耗。(Propagation lose),最 低的衰減係數為2.8dB╱cm。另外,外部回饋共振腔(External feedback resonat or )對半導體雷射頻譜與功率的影響,以及使用Fatry-perot etalon穩定半導體雷射 之頻率,本文亦加以探討;由實驗得知,光回饋作用可提高雷射輸出功率,降低臨界 電流,穩頻實驗使頻率的偏移量降低二十倍,在十五分鐘內,其頻率穩定度△V ╱V ∼7.9×10 。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742123018
http://hdl.handle.net/11536/52316
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