砷化鋁鎵雙異質接面Ｆａｂｒｙ－Ｐｅｒｏｔ標準具之研製

Abstract

砷化鎵╱砷化鋁鎵(GaAs╱AlGaAs)半導體雷射為目前應用非常席泛之一種半導體雷射 ，因此在訊號處理系統中以GaAs╱AlGaAs半導體為材料之積體光學元伯勢必成為未來 積體光路 (Integrated optical circuits)之主流。本文主要是以液相磊晶法製造Al GaAs雙異質接面Fabry-Perot etalon之光學元件，製造上的考慮是針對波長在０．８ ３um左右的半導體雷射，採用平面波導型(Planar waveguide)之Fabry perot etalon ，並且以Fatry-perot etalon的傳輸特性來測量傳輸損耗。(Propagation lose)，最 低的衰減係數為２．８dB╱cm。另外，外部回饋共振腔(External feedback resonat or )對半導體雷射頻譜與功率的影響，以及使用Fatry-perot etalon穩定半導體雷射 之頻率，本文亦加以探討；由實驗得知，光回饋作用可提高雷射輸出功率，降低臨界 電流，穩頻實驗使頻率的偏移量降低二十倍，在十五分鐘內，其頻率穩定度△V ╱V ∼７．９×１０ 。