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dc.contributor.author陳美頌en_US
dc.contributor.authorCHEN, MEI-SONGen_US
dc.contributor.author郭義雄en_US
dc.contributor.author溫增明en_US
dc.contributor.authorGUO, YI-XIONGen_US
dc.contributor.authorWEN, ZEN-MINGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:03:29Z-
dc.date.available2014-12-12T02:03:29Z-
dc.date.issued1985en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742123021en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/52319-
dc.description.abstract我們利用真空蒸鍍的方法,再加以放電或不放電兩種不同程序,來製備氧化錫透明導 電薄膜。對於薄膜的成份與結構,我們使用X 光繞射技術(X-Ray Diffracion),掃描 式電子顯微鏡術(Scanning Electron Microscopy)和梅思堡光譜法(Mossbauer Spect roscopy)來分析。對於薄膜的電性,我們使用van der pauw的方法來測量。對於薄膜 從紫外線到紅外線的光學特性,我們使用雙光束式的光譜儀來量測。 其中以真空蒸鍍配以放電所製作出的氧化錫薄膜,俱有相當好的導電性,電阻係數可 小至7.210□□Ω-cm 。同時也俱有很好的光學特性。值得一提的是在紅外線 區(2.5um≦λ≧40um)穿過率可達55%以上。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject氧化錫zh_TW
dc.subject薄膜zh_TW
dc.subject電學zh_TW
dc.subject真空蒸鍍zh_TW
dc.subjectX 光繞射技術zh_TW
dc.subject梅思堡光譜法zh_TW
dc.subjectELECTRO-ENGINEERINGen_US
dc.subjectX-RAY-DIFFRACIONen_US
dc.subjectMOSSBAUER-SPECTROSCOPYen_US
dc.title氧化錫薄膜之製備及其結構與電學光學特性之研究zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
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