氧化錫薄膜之製備及其結構與電學光學特性之研究

Abstract

我們利用真空蒸鍍的方法，再加以放電或不放電兩種不同程序，來製備氧化錫透明導 電薄膜。對於薄膜的成份與結構，我們使用X 光繞射技術(X-Ray Diffracion)，掃描 式電子顯微鏡術(Scanning Electron Microscopy)和梅思堡光譜法(Mossbauer Spect roscopy)來分析。對於薄膜的電性，我們使用van der pauw的方法來測量。對於薄膜 從紫外線到紅外線的光學特性，我們使用雙光束式的光譜儀來量測。 其中以真空蒸鍍配以放電所製作出的氧化錫薄膜，俱有相當好的導電性，電阻係數可 小至７．２１０□□Ω-cm 。同時也俱有很好的光學特性。值得一提的是在紅外線 區（２．５um≦λ≧４０um）穿過率可達５５％以上。