一種新式高速及高密度金氧半場效電晶體靜態隨意存取記憶細胞及其周邊電路設計

Abstract

本文利用三端點負微分電阻特性之A 型金氧半場效電晶體，提出一種新式靜態隨意存 取記憶細胞。利用此新記憶細胞的快速動態性能，我們設計完成一個高速高密度的靜 態隨意存取記憶體。 此外，本文不但詳盡地討論單邊讀取運作的優點，而且提出單邊讀取的新感測技巧。 並且，我們採用了某些新構想，來強化感測放大器的性能。利用新式靜態隨意存取記 憶細胞及新型感測放大器的優點，高速讀取運作可以達成。最後我們應用電路分析程 式（SPICE ），來證實本文所提及的電路性能。