互補式金氧半超大型積體電路之矽控整流鎖住的穩態與暫態特性分析、模擬與預測

Abstract

互補式金氧半場效電晶體已迅速成為主要的超大型積體電路技術，然而當電路佈局持 續的縮小下去，則寄生的矽控整流鎖住問題必須加以充分了解以提出控制解決之道。 本文將對此矽控整流鎖住現象的穩態與暫態特性加以定量上及定性上的測量和分析。 由實驗測量的結果，我們發現橫向寄生電晶體的電流增益會受橫向電場的促增效應而 大大地增大。 對於建立於晶片上偏壓產生器的電流推動能力，本文也以實驗結果加以討論，並提出 在設計上如何增加此電流推動能力的方法。 另外，本文提出鎖住現象的暫態分析，以實驗方式得到要觸發到鎖住狀態所需最小的 脈波寬度與脈波高度及脈波週期的關係。