Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 許國原 | en_US |
dc.contributor.author | XU, GUO-YUAN | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | WU, GING-YUAN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:03:39Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:03:39Z | - |
dc.date.issued | 1985 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742430020 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/52422 | - |
dc.description.abstract | 本文發展出一種理論模式,考慮了“否樂一挪現”穿透效應,影像力降低效應,第一 階陷住動力學,撞擊游離化,與起伏引起的電場加強效應等,來研究長在複晶矽上的 氧化層的斜升電壓沖擊的電流一電壓特性。同樣地,經過熱氮化的複晶矽氧化層也以 這個模式作計測分析。根據此一模式,我們不僅計算了電子陷住,正電荷堆積與介電 電場強度,並且計算了起伏引起的電場加強效應。由斜升電壓沖擊之電流一電壓特性 的測量,一些重要的重要參數,如平均電場加強因素,有效總陷住密度,陷住截面積 ,結合陷住截面積,介質崩潰電場等,均能求得。在斜升電壓沖擊下,嚴重的起伏導 致較大的漏電流與較弱的介質崩潰電場;然而嚴重的陷住效應,卻會降低漏電流,並 加強介質崩潰電場。在高溫的乾氧氧化與低溫的濕氧氧化,由於產生起伏效應引起的 電場加強減弱,且電子陷住效應稍微增加,故能得到較高品質的複晶矽氧化層。此外 ,高溫的乾氧氧化比濕氧氧化具有較小的起伏效應。高濃度摻雜複晶矽上成長的氧化 層,由於其起伏效應加大,故品質因而變差。然而,熱氮化複晶矽氧化層,由於在高 溫與長時間的氮化後,其起伏效應減弱,且陷住效應加強,故具有超好的特性。 此外,本文使用掃描式電子顯微鏡,斜升電壓沖擊的電流一電壓測量,高電場沖擊與 固定電流沖擊等方法來分析及比較複晶矽氧化層與非晶矽氧化層。從掃描式電子顯微 鏡的照片觀察與斜升電壓沖擊的電流一電壓測量得知,非晶矽氧化層的起伏效應比複 晶矽氧化層小,故具有較小的漏電及耐較大的電子總流量。此外,複晶矽氧化層與上 端電極的介面較下端介面平坦。在高電場沖擊下,發現電子陷住與正電荷堆積容易發 生於複晶矽氧化層;但對非晶矽氧化層而言,僅有電子陷住效應顯得重要。 在複晶矽氧化層裡,嚴重的起伏效應使得有效的發射面積縮小,導致局部電流密度與 電場的加強,故最後降低了耐電子的總流量。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 複晶矽 | zh_TW |
dc.subject | 非晶矽 | zh_TW |
dc.subject | 氧化層 | zh_TW |
dc.subject | 複晶矽氧化層 | zh_TW |
dc.subject | 氮化複晶矽氧化層 | zh_TW |
dc.subject | 模擬 | zh_TW |
dc.title | 長在複晶矽與非晶矽上的複晶矽氧化層, 氮化複晶矽氧化層非晶矽氧化層之計測分析與模擬 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |