超大型積體電路上閘極結構的研究

Abstract

近年來超大型積體電路上元件的縮小及元件密度的增加產生了許多的問題，其中主要 有二個問題，一是俴統閘極結構由於電阻值過高已不合實際使用，二是高可靠度的薄 氧化層已成為超大型積體電路成敗的主要關鍵。 因此本研究乃針對三種可能閘極結構（金屬矽化物／氧化層／矽基，複晶矽上的金屬 矽化物／複晶矽／氧化層／矽基，複晶矽／氧化層／矽層）及三種不同的氧化層厚度 ，１００埃，２７０埃，５４０埃加以研究。並為了配合未來工業的發展，我們於薄 氧化層（１００埃）提供了實際可行的閘極結構及其處理步驟。 最後，針對複晶矽／氧化層／矽基這種結構，將其薄氧化層（１００埃）經由氮化處 理來作進一步的研究。